近日，據(jù)《科技日報》報道，美國佐治亞理工學(xué)院電氣與計算機(jī)工程學(xué)院Asif Khan團(tuán)隊宣布，成功研制出基于氧化鉿鐵電材料的新型NAND閃存。該產(chǎn)品兼具AI高效處理與太空極端輻射耐受能力，抗輻射性能達(dá)傳統(tǒng)NAND閃存的30倍，相關(guān)成果已于5月18日發(fā)表于美國化學(xué)會《納米快報》（Nano Letters）雜志。

傳統(tǒng)NAND閃存依賴電荷捕獲存儲數(shù)據(jù)，太空環(huán)境中的高能粒子輻射易導(dǎo)致電荷流失，引發(fā)數(shù)據(jù)損壞，通常在3萬拉德輻射劑量下即失效，難以滿足深空探測與太空AI任務(wù)需求。此次研發(fā)的新型鐵電NAND閃存，核心突破在于采用與硅工藝完全兼容的氧化鉿（HZO）鐵電材料，利用其自發(fā)極化及電場可控翻轉(zhuǎn)特性存儲數(shù)據(jù)，從底層原理上規(guī)避了電荷輻射敏感問題。

測試數(shù)據(jù)顯示，這款鐵電NAND閃存可承受**100萬拉德**的輻射吸收劑量，相當(dāng)于1億次醫(yī)用X射線照射，是傳統(tǒng)存儲器輻射耐受性的30倍。該指標(biāo)已覆蓋近地軌道、月球探測及木星以遠(yuǎn)深空任務(wù)的輻射環(huán)境要求，可支撐NASA歐羅巴快船等深空探測項目的長期穩(wěn)定運(yùn)行。同時，其鐵電存儲機(jī)制具備低功耗、高讀寫速度優(yōu)勢，可高效適配AI推理與數(shù)據(jù)處理需求，為太空邊緣計算提供存儲支撐。

項目負(fù)責(zé)人Asif Khan表示，鐵電NAND閃存的核心價值在于“存儲+抗輻射+AI適配”三重能力集成。不同于傳統(tǒng)輻射加固方案的高成本與性能損耗，該技術(shù)基于現(xiàn)有硅工藝線即可量產(chǎn)，兼具成本與規(guī)模化優(yōu)勢。憑借氧化鉿鐵電層與硅基底的兼容性，未來可實(shí)現(xiàn)3D堆疊，支撐更高容量存儲需求，適配衛(wèi)星星上處理、深空探測器、太空AI服務(wù)器等場景。