STD64N4F6AG_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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STD64N4F6AG 是一款高功率N溝道MOSFET，封裝采用TO-252-2L，適合于大電流、高效率的應(yīng)用場景。它具備高達(dá)40V的漏源電壓VDSS，能承載峰值電流60A，充分滿足大規(guī)模電力切換與負(fù)載驅(qū)動(dòng)需求。其卓越之處在于7.7mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，確保了在大電流工作狀態(tài)下依然維持極低的功率損耗，實(shí)現(xiàn)高效能運(yùn)作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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