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NVTFS4C13N_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN3X3-8L 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤(pán) 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/60.0A 參數(shù)4:RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

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NVTFS4C13N N溝道MOSFET采用小型化DFN3X3-8L封裝,專(zhuān)為高集成度電路設(shè)計(jì),體積小但性能強(qiáng)勁。該器件具有30V的電壓額定值(VDSS),并能在高功率條件下承載60A的連續(xù)漏極電流,展現(xiàn)出卓越的電流承載力。其導(dǎo)通電阻低至6mΩ(RD(on)),有助于降低系統(tǒng)損耗,提升整體能效。此款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高功率開(kāi)關(guān)電路等各種高電流與高效率應(yīng)用場(chǎng)合。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話(huà):18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014