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Si2308BDS-T1-E3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤(pán) 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/3.0A 參數(shù)4:RDON/72.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

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Si2308BDS-T1-E3 N溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝,專(zhuān)為高密度電子設(shè)計(jì)提供解決方案。此器件具備強(qiáng)大性能,工作電壓高達(dá)60V,連續(xù)輸出電流達(dá)3A,且擁有優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻僅為72mΩ,顯著提升系統(tǒng)效率并降低能耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等廣泛應(yīng)用領(lǐng)域,以卓越的品質(zhì)與可靠的性能,助您的電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)效能升級(jí)。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話(huà):18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014