Si2374DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/23.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2374DS-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效率和小型化電子設(shè)備設(shè)計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載3A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有出色的23mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了高效能和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、負載開關(guān)、電池保護等電路中，是打造節(jié)能型、緊湊電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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