SI4447DY-T1-E3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/13.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI4447DY-T1-E3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，專為高功率和高效率應(yīng)用設(shè)計。器件擁有40V的漏源電壓(VDSS)，并能在僅僅14mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))下，安全承載高達(dá)13A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等場景，此款MOS管憑借其出色的電流處理能力和優(yōu)秀的能效表現(xiàn)，成為您提升系統(tǒng)效能和節(jié)能的關(guān)鍵元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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