WNSC08650T6J-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:8A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.42V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管采用獨(dú)立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向耐壓（VR），在高負(fù)載條件下可保持穩(wěn)定性能。其正向?qū)▔航担╒F）為1.42V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有優(yōu)異的高溫工作能力與開關(guān)速度，適用于高頻率、高效率的電源轉(zhuǎn)換場景。廣泛用于各類電力變換裝置中，如開關(guān)模式電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器及功率因數(shù)校正電路，可有效提升系統(tǒng)整體效率與功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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