WNSC10650T6J-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8B 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.37V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管采用獨(dú)立式配置，具備10A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），在高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的電氣性能。其正向壓降（VF）低至1.37V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。器件利用碳化硅材料特性，具備出色的開(kāi)關(guān)速度與高溫工作穩(wěn)定性，適用于需要快速恢復(fù)和高可靠性的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)合，如高效開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變模塊及高壓直流配電系統(tǒng)，可滿(mǎn)足對(duì)散熱性能和空間布局有嚴(yán)苛要求的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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