HNXPSC12650B6J_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流IO:12A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅二極管具有12A的正向電流（IF），能夠在高達(dá)650V的反向電壓（VR）下正常工作。其正向電壓降（VF）僅為1.3V，在保證性能的同時(shí)減少了能量損耗。該二極管的反向漏電流（IR）為50微安，在較高溫度下仍能保持較低的漏電水平。瞬態(tài)正向浪涌電流（IFSM）可達(dá)90A，適合需要處理短時(shí)大電流的應(yīng)用場(chǎng)景。這些特性使得此款二極管在需要高效能與可靠性的電路設(shè)計(jì)中成為理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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