HFFSB1065B_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有10A的正向電流（IF/A），能夠承受最高650V的反向電壓（VR/V）。其正向電壓降（VF/V）僅為1.3V，在反向偏置條件下，漏電流（IR/uA）不超過50微安。此外，該二極管瞬態正向浪涌電流（IFSM/A）可達80A，在高頻開關電源和其他需要高效能與高可靠性的電路中，可以提供卓越的性能表現。
