C6D04065A_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流IO:4A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅二極管具備4安培的正向電流（IF/A）承載能力，同時能夠承受最大650伏特的反向電壓（VR/V）。其正向電壓（VF/V）為1.3伏特，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換效率。在反向應(yīng)用中，該二極管的漏電流（IR/uA）不超過50微安，表明其具有良好的阻斷性能。瞬態(tài)峰值電流（IFSM/A）為23安培，使其成為高頻開關(guān)應(yīng)用中的理想選擇，特別適合于需要快速開關(guān)且維持低功耗操作的場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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