NVMFS6B05NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:85V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這是一款N溝道場效應(yīng)管，具有85V的漏源電壓（VDSS）和100A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于高功率密度設(shè)計。其導(dǎo)通電阻低至4.3mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。該器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性，適合用于大電流開關(guān)電源、直流電機(jī)驅(qū)動、電池供電設(shè)備及高效率電源轉(zhuǎn)換模塊等場景，是實現(xiàn)高效功率控制的理想選擇之一。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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