NTHL082N65S3F-HXY_TO-247_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:43A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可承受較高電壓應(yīng)力，適用于高壓工作環(huán)境。在導(dǎo)通狀態(tài)下，其典型導(dǎo)通電阻僅為75mΩ，有助于減少功率損耗并提升能效。器件支持43A的連續(xù)漏極電流，具備較強(qiáng)的大電流開關(guān)能力。常用于開關(guān)電源、逆變電路、電機(jī)控制及高效率電源轉(zhuǎn)換模塊中。憑借高電壓耐受性、低導(dǎo)通電阻與大電流承載能力，適合對(duì)熱性能和電氣穩(wěn)定性要求較高的電路設(shè)計(jì)，有助于實(shí)現(xiàn)緊湊且高效的功率系統(tǒng)布局。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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