IAUC100N10S5L040-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備100V漏源耐壓（VDSS）和120A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）低至3.6mΩ，可有效降低大電流工作下的功率損耗。其低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力使其適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景，如大功率同步整流、DC-DC變換器及電機(jī)驅(qū)動電路。器件在高負(fù)載條件下仍能保持良好熱穩(wěn)定性，適合對能效和功率密度有較高要求的設(shè)備，廣泛用于各類高性能開關(guān)電源、儲能系統(tǒng)及電力傳輸控制等應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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