SQ7415CENW-T1_GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:49mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該P溝道場效應(yīng)管具有60V漏源電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻為49mΩ，適用于中等功率的開關(guān)控制場景。其P溝道結(jié)構(gòu)簡化了柵極驅(qū)動設(shè)計，常用于高邊開關(guān)或電源通路管理電路中。器件適合部署于電池供電設(shè)備的電源切換、便攜式電子產(chǎn)品中的負載開關(guān)以及DC-DC電源架構(gòu)的反向電流保護等應(yīng)用，能夠滿足對電路簡潔性與可靠性有一定要求的低功耗系統(tǒng)設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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