IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:125A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:2.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管具有60V的漏源電壓（VDSS）和125A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于高電流開關(guān)場景。其導通電阻低至2.4mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統(tǒng)效率。器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性，可廣泛用于各類電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及功率管理電路中，是高性能、高密度設計中實現(xiàn)高效能功率控制的關(guān)鍵元件，適用于對功耗和空間有嚴格要求的設備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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