SISA14BDN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這是一款N溝道場效應管（MOSFET），具有30V的漏源電壓（VDSS）和90A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于高電流開關場景。其導通電阻低至3.5mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統(tǒng)效率。器件采用標準封裝，便于集成于各類電源管理電路中，可用于直流-直流轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動控制及負載開關等應用。N溝道設計配合合適的柵極驅(qū)動，可實現(xiàn)快速開關響應，滿足高頻工作需求，適用于對空間和能效有要求的電子設備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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