SISA88DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管具有30V漏源電壓（VDSS）和40A持續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻低至5mΩ，可有效減少大電流下的導通損耗。器件具備優(yōu)良的開關特性和熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉換電路。其低電阻與中等電流承載能力使其適合用于同步整流模塊、便攜式設備的電源管理單元以及直流-直流降壓變換器中。緊湊的封裝設計支持高密度電路布局，滿足對能效和空間利用要求較高的應用場景，有助于提升整體系統(tǒng)效率與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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