BSZ065N03LSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有30V漏源電壓（VDSS）和40A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至5mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。低RDON特性使其在高電流工作條件下具備良好的熱穩(wěn)定性，適用于對能效和功率密度要求較高的電路設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用包括開關(guān)電源、同步整流模塊、電池供電設(shè)備的電源管理單元以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開關(guān)。該器件適合集成于緊湊型高功率電子裝置，用于實(shí)現(xiàn)高效的直流-直流轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制，滿足高性能便攜式設(shè)備與通信系統(tǒng)對可靠功率切換的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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