SQD40031EL_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款P溝道場效應管，具有30V的漏源電壓（VDSS）和120A的連續漏極電流（ID）能力，適用于高電流開關應用。其導通電阻低至2.5mΩ，在大電流工作條件下可有效降低導通損耗，提升系統效率。器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和開關特性，適合用于電源管理模塊、直流電壓轉換、電池供電設備的負載開關以及各類高密度功率控制電路中，是實現高效能功率切換的優選器件。
