SI7111EDN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:65A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有30V漏源電壓（VDSS）和65A連續漏極電流（ID），導通電阻為6.5mΩ，適用于中高功率開關場景。其P溝道特性便于實現高邊驅動控制，降低柵極驅動電路復雜度。器件在低電壓工作條件下具備較低的導通損耗，有助于提升系統整體能效。廣泛適用于便攜式電源設備、直流-直流轉換模塊、電池管理系統及各類高密度電源開關應用，支持穩定可靠的電流控制，滿足對熱性能與電氣性能有較高要求的設計需求。
