DMT2004UFG-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具備30V的漏源電壓（VDSS）和高達(dá)90A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于高電流負(fù)載下的開關(guān)操作。其極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為3.5mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。該器件適用于大功率電源管理單元、高性能計(jì)算模塊的電壓調(diào)節(jié)、電動設(shè)備驅(qū)動電路以及電池供電系統(tǒng)中的主控開關(guān)，滿足對電流承載能力和熱性能要求較高的設(shè)計(jì)需求，適合集成于緊湊型高密度電路中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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