DMG3413L-7-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有20V的漏源電壓（VDSS）和3A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于中低功率開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻典型值為75mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。采用P溝道設(shè)計(jì)，便于在高邊開關(guān)電路中實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)控制。器件適用于各類電源管理場(chǎng)景，如便攜式設(shè)備中的電池供電切換、負(fù)載開關(guān)電路以及直流電源的反向極性保護(hù)等，滿足對(duì)空間和能效有要求的緊湊型電子設(shè)備需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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