UF3C120080K3S-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:36A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），采用高純度碳化硅材料，具備優(yōu)異的耐高壓與熱導(dǎo)性能。其漏源導(dǎo)通電阻（RDON）為80毫歐，能在高頻率與高電壓環(huán)境下實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗，提升整體能效。額定漏極電流（ID）為36A，適用于高功率密度電源系統(tǒng)。該器件具備快速開關(guān)特性與良好的穩(wěn)定性，可廣泛應(yīng)用于高效電源變換、新能源發(fā)電設(shè)備及高頻電力電子裝置，為復(fù)雜應(yīng)用場景下的電力系統(tǒng)提供堅實的技術(shù)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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