G3R160MT12D-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:19A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流（ID）為19A，導通電阻（RDON）低至160mΩ，能夠有效降低導通損耗并提升系統效率。碳化硅材料的使用使其具備更高的擊穿電場強度與熱導率，支持高頻、高壓與高溫環境下的穩定工作。適用于高效電源轉換系統、可再生能源設備及精密電子裝置中的功率控制與能量調節。
