SC160N120T8L-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:19A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有良好的高壓耐受與導(dǎo)通性能。其額定漏極電流ID為19A，導(dǎo)通電阻RDON為160mΩ，能夠在高電壓環(huán)境下實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗。碳化硅材料的使用提升了器件的熱穩(wěn)定性與能效表現(xiàn)，適合對功率密度和轉(zhuǎn)換效率有較高要求的應(yīng)用場景。該MOSFET可廣泛應(yīng)用于高效電源系統(tǒng)、智能能源管理、精密電子設(shè)備及高性能電力轉(zhuǎn)換裝置中，為電路設(shè)計提供穩(wěn)定的技術(shù)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
