BSL215CH6327-HXY_SOT-23-6L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：溝道類型:N+P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該MOSFET為N溝道與P溝道組合的場效應(yīng)管，適用于雙向開關(guān)或互補(bǔ)驅(qū)動電路。N溝道部分具有20V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)5A，導(dǎo)通電阻（RDSON）低至25mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升能效。柵源電壓（VGS）最大為12V，適合標(biāo)準(zhǔn)電平驅(qū)動。器件可用于電源切換、電池供電設(shè)備中的負(fù)載控制、H橋驅(qū)動及同步整流等應(yīng)用，適用于對導(dǎo)通電阻和空間布局有要求的便攜式電子產(chǎn)品與通用電路設(shè)計，支持高效、緊湊的功率管理方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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