AO4437_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有20A的連續(xù)漏極電流（ID）和20V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDON）低至12mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高電源效率。柵源電壓（VGS）最大為12V，適用于低壓控制電路中的開關(guān)與功率調(diào)節(jié)。P溝道結(jié)構(gòu)使其在高端開關(guān)應(yīng)用中具有驅(qū)動(dòng)便利性，常用于電池供電設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品及電源管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)、逆變電路和DC-DC轉(zhuǎn)換模塊，滿足對(duì)低導(dǎo)通電阻和高能效的電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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