SICW1000N170A-HXY_TO-3PF_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-3PF 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:800mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)管，具有1700V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓工作環(huán)境。其連續(xù)漏極電流（ID）為5A，導(dǎo)通電阻（RDON）為800mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。柵源電壓范圍為±22V，支持穩(wěn)定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度和高溫耐受能力，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、高壓直流變換器、光伏逆變裝置及高功率密度電源系統(tǒng)等對(duì)效率與熱性能要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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