NVH4L022N120M3S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:81A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型碳化硅場效應管（MOSFET），采用寬禁帶半導體材料，具備優異的高頻與高溫工作能力。其漏極電流ID可達81A，漏源擊穿電壓VDSS高達1200V，導通電阻RDON低至21毫歐，顯著降低導通損耗，提升系統效率。器件適用于高頻率開關電源、高效能量轉換系統及高性能電力電子裝置，支持小型化與高效率的設計需求。
