IRF7311TRPBF-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:21mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款NN溝道場效應管（MOSFET）具備20V的漏源擊穿電壓（VDSS）與21mΩ的導通電阻（RDON），可持續承載最高6A的漏極電流（ID）。該器件內部集成雙N溝道結構，有助于簡化外圍電路設計并提升開關效率。其低導通電阻有效減少導通損耗，適用于電源轉換、負載開關、電池管理及小型電機控制等應用場景，特別適合對體積與效率有要求的消費類電子和便攜式設備使用。
