RD3P100SNFRATL-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具備15A的最大漏極電流ID和100V的漏源擊穿電壓VDSS，適用于多種中高壓功率應(yīng)用場合。導通電阻RDON為100mΩ，有助于降低導通損耗，提升整體效率。器件采用穩(wěn)定可靠的制造工藝，具有良好的熱性能與耐久性，適合用于電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)控制、電池管理系統(tǒng)及消費類電子設(shè)備中的功率切換場景。其參數(shù)特性可滿足多數(shù)常規(guī)功率設(shè)計需求，適用于廣泛領(lǐng)域的電路設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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