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IRF7821TRPBF-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:15A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:7.5mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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本款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)主要參數(shù)包括:漏極電流ID為15A,漏源電壓VDSS為30V,導(dǎo)通電阻RDON為7.5mΩ。該器件適用于多種功率控制場景,如高效電源轉(zhuǎn)換、電池充放電管理、直流電機驅(qū)動及智能負載調(diào)節(jié)等。其低導(dǎo)通電阻可有效減少導(dǎo)通損耗,提升整體系統(tǒng)效率。同時具備良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性,適合用于對空間和能效有要求的中高功率應(yīng)用設(shè)計。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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