DMP3011SFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和55A的最大連續漏極電流（ID），適用于高電流場景下的穩定工作。導通電阻（RDON）低至8毫歐，可有效降低導通損耗，提高系統效率。采用P溝道結構設計，適合用于電源管理、負載開關、電池供電設備以及各類便攜式電子產品中的高效電路控制。其優異的電氣性能和廣泛的工作范圍，使其在復雜環境中仍能保持可靠運行。
