DMP2010UFG-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有20V漏源電壓（VDSS）和60A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為7mΩ，支持高效功率傳輸并減少熱量產(chǎn)生。適用于電源管理系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池供電設(shè)備及高精度開關(guān)電路，具備良好的熱穩(wěn)定性和快速響應(yīng)特性。其標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì)便于PCB布局與散熱管理，適合多種高性能電子應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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