DMP2010UFV-7-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備20V的漏源電壓（VDSS）和60A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）低至7mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗并提升效率。適用于高密度電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、同步整流電路及負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景，在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，便于集成于各類(lèi)緊湊型電子設(shè)備中，滿足多樣化電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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