SQJA04EP-T1_BE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備優(yōu)異的電氣性能，適用于多種高效電源管理系統(tǒng)。器件最大漏極電流ID為80A，漏源耐壓VDSS達60V，滿足較高功率應用需求；導通電阻RDON低至5.3mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統(tǒng)效率。采用成熟穩(wěn)定的制造工藝，保證了良好的熱穩(wěn)定性與可靠性?？蓮V泛應用于開關電源、同步整流、電池保護電路及高密度電源模塊等領域，支持高頻運行，適應復雜工作環(huán)境，助力高性能電路設計實現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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