IXTH3N150-HXY_TO-3PF_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數(shù)1：電流ID:3.7A 參數(shù)2：電壓VDSS:1500V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有1500V的漏源擊穿電壓（VDSS），可提供最高3.7A的工作電流（ID）。導(dǎo)通電阻（RDON）為1000mΩ，支持20V的柵源電壓（VGS），適用于多種高效能電源管理系統(tǒng)。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，具備良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性，適合用于高電壓隔離、功率調(diào)節(jié)及直流變換等場景。其設(shè)計(jì)兼顧性能與可靠性，可在多類電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效的功率控制功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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