HINN700TK190B_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:700V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為高性能氮化鎵晶體管（GaN HEMT），采用N溝道結構，具備優異的導通與開關特性。主要參數包括：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS高達700V，導通電阻RDON低至160mΩ，可支持高效率、高頻率的電力轉換應用。該器件適用于電源適配器、無線充電、LED驅動及通信設備等領域的功率管理場景，提供緊湊設計與高效能表現的基礎支持。
