C3M0040120J1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:68A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備優(yōu)異的電學(xué)性能，漏極電流ID為68A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)1200V，導(dǎo)通電阻RDON僅為40mΩ，支持高效、低損耗的電力傳輸。基于碳化硅材料的優(yōu)勢(shì)，該器件具備更高的熱穩(wěn)定性和開(kāi)關(guān)效率，適用于高頻率、高功率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高效能適配器、儲(chǔ)能設(shè)備、智能電網(wǎng)以及精密電子控制模塊等應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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