C3M0350120D-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:7A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:320mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅N溝道場效應管（MOSFET）具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持7A連續漏極電流（ID），導通電阻為320mΩ（RDON），在高壓與高頻應用中表現出色。基于碳化硅材料的優勢，該器件具備更高的熱穩定性和更低的能量損耗，適用于電源轉換、新能源設備及高效率電路設計。其優異的開關性能和耐壓能力，使其在復雜電磁環境中仍能保持可靠運行。
