NTBG040N120SC1-HXY_TO-263-7L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流ID:68A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備較高的電流承載能力和優(yōu)異的導(dǎo)通性能。其最大漏極電流ID為68A，導(dǎo)通電阻RDON為40mΩ，可在高電壓環(huán)境下實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗。器件采用成熟工藝制造，具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于高頻電源轉(zhuǎn)換、高效能電力控制及各類高密度功率模塊設(shè)計(jì)，滿足多樣化電子系統(tǒng)對(duì)效率與穩(wěn)定性的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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