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IRFR2905ZTRPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:50A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:11mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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本款N溝道場效應管(MOSFET)具有60V漏源電壓(VDSS)和50A連續漏極電流(ID)能力,導通電阻(RDON)僅為11mΩ,支持高效功率傳輸與低發熱運行。器件基于成熟半導體工藝設計,具備優良的熱穩定性和耐用性,適用于多種電源管理場合,如開關電源、DC-DC轉換模塊、電池保護電路及高精度負載控制等,滿足高頻工作與緊湊布局的設計要求。

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