SI4214DDY-T1-E3-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:8.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:17mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N+N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）采用NN溝道結(jié)構(gòu)，具備良好的導(dǎo)通特性和開(kāi)關(guān)響應(yīng)。其最大漏極電流ID為8.5A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，適用于中等功率電路設(shè)計(jì)。器件導(dǎo)通電阻RDON僅為17mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提高整體效率。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、便攜式電子設(shè)備及高性能計(jì)算模塊等場(chǎng)景，滿(mǎn)足高效、小型化電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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