IRLR2905TRPBF-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60V的漏源耐壓（VDSS），可持續(xù)通過30A的漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至22毫歐。該器件適用于中高功率電源轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用，適合用于電源適配器、電池管理系統(tǒng)、充電設(shè)備及各類效率敏感型電子裝置中的開關(guān)控制電路。其低導通電阻與較高電流承載能力相結(jié)合，有助于降低導通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。器件基于成熟工藝設(shè)計，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于對空間布局和性能有一定要求的通用型功率電路應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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