SI2343DS-T1-BE3-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有4.2A連續(xù)漏極電流（ID）和30V漏源電壓（VDSS）的額定值，導(dǎo)通電阻（RDON）低至45毫歐，可有效提升電路效率并降低溫升。器件適用于各類中低功率電源轉(zhuǎn)換與控制場合，如便攜式電子產(chǎn)品、智能控制模塊、通信設(shè)備及家用電器中的電源管理單元，提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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