SI3401A-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備4.2A的漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDON）僅為45毫歐，能夠有效減少功率損耗并提升轉(zhuǎn)換效率。器件采用成熟穩(wěn)定的封裝工藝，適用于多種中低功率應(yīng)用場景，如電池供電設(shè)備、智能家電、通信模塊及電源管理系統(tǒng)，為電路提供可靠的開關(guān)控制性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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