STD96N3LLH6-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具備優(yōu)異的電氣性能與穩(wěn)定性。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為100A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至3.8mΩ，有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。適用于高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計，如同步整流、DC-DC變換器及電源管理模塊等場景。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱管理和可靠性，滿足多樣化電子設(shè)備對高效能、小型化的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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