IRLR7833TRPBF-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有100A的最大漏極電流ID和30V的漏源擊穿電壓VDSS，導(dǎo)通電阻RDON低至3.8mΩ，具備優(yōu)異的導(dǎo)電性能與較低的開關(guān)損耗。器件采用先進(jìn)工藝制造，確保在高負(fù)載條件下仍能保持穩(wěn)定工作。適用于各類高性能電源系統(tǒng)、同步整流電路、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電池管理電路等應(yīng)用場合，能夠滿足對效率與可靠性要求較高的設(shè)計(jì)方案需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
