SMIRF4N65T9RL-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:2400mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備650V的漏源耐壓（VDSS），可承載4A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為2400mΩ。該器件適用于開關電源、功率轉(zhuǎn)換器及高電壓控制電路，具備較高的擊穿電壓和良好的開關特性，適合用于對體積與效率有一定要求的中高壓電子系統(tǒng)設計中，支持多種常見拓撲結構的應用實現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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